DDR3和DDR4内存有什么区别？
1.产能变更
DDR4内存使用差分信令（DiffrentialSignaling）技术和三维堆栈技术（3DS）。 DDR4存储器同时使用传统的SE信号和差分信号技术。传统的SE信号传输机制容易受到高频干扰。差分信号技术使用两条线传输信号，这大大增加了抗干扰能力。能力。它用于增加单个芯片的容量。使用3DS堆叠封装技术后，单个内存的容量可以达到DDR3产品的8倍。例如，一个普通的大容量内存当前具有8GB的单个容量（单个芯片具有512MB，总共16个），而DDR4可以完全达到64GB甚至128GB。
2.内存功耗
在内存功耗方面，DDR4内存的工作电压进一步降低至1.2V，也远低于DDR3内存的1.5V工作电压。功耗的降低可以降低存储器的功耗和热量的产生，从而提高存储器模块的稳定性，并且基本上不会发生由热量引起的频率降低现象。
3.内存频率和带宽
DDR4内存的工作频率从2133MHz开始，最高可以达到4266MHz。与DDR3内存相比，工作频率和内存时序有了很大的提高。 DDR4内存的每个引脚可提供2Gbps（256MB / s）带宽，DDR4-3200为51.2GB / s，比DDR3-1866高出70％以上。
4.外观变化
所有记忆的金手指一直是直的。直到DDR4内存，金手指的设计在中间略微突出，并且边缘缩短了。这种设计有利于确保DDR4内存金手指接触内存插槽。该点具有足够的接触面以确保稳定的信号传输，并且还解决了难以移除和插入存储器的问题。 DDR4内存金手指中间的凹口（防呆口）比DDR3更靠近中间。
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